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序号 | 豁免内容 | 豁免时间 |
7(c)-IV | 以锆钛酸铅(PZT)为基础的介电陶瓷介电陶瓷材料的电容器的铅,该电容器为集成电路或分立半导体的组成部分 | 豁免至2016年7月21日 |
序号 | 豁免内容 | 豁免时间 |
40 | 专业的声频设备中使用的模拟光耦合器中的光敏电阻器中的镉 | 豁免至2013年12月31日 |
吴丹妮 2020年进入亿博检测技术有限公司,担任高级技术顾问。
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